Новые микросхемы DDR3, из которых и состоит модуль, имеют емкость четыре гигабита и сделаны по 50-нанометровой технологии. Для работы чипа требуется напряжение в 1.35 вольта, что на целых 20% ниже, чем у самых экономичных выпускаемых ныне чипов DDR3.